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深圳英特法

深圳市英特法电子科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道振兴西路华康大厦2栋3楼315室，注册机关为福田局，法人代表为欧阳先军，经营范围包括一般经营项目是：电子产品、电子元器件的技术开发与销售，国内贸易；经营进出口业务。（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营），许可经营项目是：,

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Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

SVG06100NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

SVG10111NA6 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

SVG105R0NL5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

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Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

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Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

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Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

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Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

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Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

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