技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):18° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
Storage Temperature:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
Storage Temperature:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:带通滤光片 |
透过波长范围:8~14μm |
平均透过率:≥75%,8~14μm |
平均截止率:1%,<7.5μm;1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
Storage Temperature:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场(50%最大信号):83° |
滤光片类型:长波通滤光片 |
透过波长范围:5.5~14μm |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
Storage Temperature:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46 |
芯片面积:1.1×1.1mm2 |
感应区域:0.75×0.75mm2 |
视场 (50%最大信号):76° |
透过波长范围:5.5~14μm 长波通 |
平均透过率:≥80%, 5.5~14μm |
平均截止率:1%,<5μm |
工作温度:-30~100℃ |
Storage Temperature:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39(双通道) |
检测气体类型:甲烷 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:工作通道:3.4μm;参考通道:3.95μm |
半波宽:工作通道:180nm;参考通道:90nm |
峰值透过率:工作通道:>80%;参考通道:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39(双通道) |
检测气体类型:二氧化碳 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:工作通道:4.26μm;参考通道:3.95μm |
半波宽:工作通道:180nm;参考通道:90nm |
峰值透过率:工作通道:>80%;参考通道:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39(双通道) |
检测气体类型:一氧化碳 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:工作通道:4.64μm;参考通道:3.95μm |
半波宽:工作通道:160nm;参考通道:90nm |
峰值透过率:工作通道:>80%;参考通道:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39(双通道) |
检测气体类型:一氧化碳 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:工作通道:4.75μm;参考通道:3.95μm |
半波宽:工作通道:180nm;参考通道:90nm |
峰值透过率:工作通道:>80%;参考通道:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39(双通道) |
检测气体类型:六氟化硫 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:工作通道:10.56μm;参考通道:3.95μm |
半波宽:工作通道:370nm;参考通道:90nm |
峰值透过率:工作通道:>80%;参考通道:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46(单通道) |
检测气体类型:甲烷 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:3.4μm |
半波宽:180nm |
峰值透过率:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
工作温度:-30~100℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-46(单通道) |
检测气体类型:二氧化碳 |
滤光片类型:窄带滤光片 |
中心波长:4.26μm |
半波宽:180nm |
峰值透过率:>80% |
储存温度:-40~125℃ |
精度:±0.3℃用于体温模式; ±1℃ 或者±1% m.v 用于物表模式 |
Measurement Range:体温模式 32~42.5 ℃, 物表模式 0~300 ℃ |
视角 (50%信号强度):12.4° |
测量周期 (测量周期可设置):0.5 s |
数字分辨率:0.1 ℃ |
D:S:6:1 |
光谱响应:5.5~14 μm |
温度补偿:10.0~40.0 °C |
供电电压:4.5~5.5 V |
工作电流:<2 mA |
输出信号:UART / IIC |
通讯电平:TTL 3.3 V |
工作环境:0~50 ℃;0~95%RH (无凝结) |
尺寸:35×26×30mm |
精度:±0.3℃用于体温模式; ±1℃ 或者±1% m.v 用于物表模式 |
工作温度:0~50 ℃;0~95%RH (无凝结) |
Measurement Range:体温模式 32~42.5 ℃, 物表模式 0~300 ℃ |
视角 (50%信号强度):5° |
测量周期 (测量周期可设置):0.5 s |
数字分辨率:0.1 ℃ |
D:S:10:1 |
光谱响应:5.5~14 μm |
温度补偿:10.0~40.0 °C |
供电电压:4.5~5.5 V |
工作电流:工作电流 |
输出信号:UART |
通讯电平:TTL 3.3 V |
传感技术:红外吸收检测 NDIR |
精度:± (50ppm + 5% 读数 ) |
工作温度:32.5×20.8×17.6mm |
Response Time:T90=90s |
测量浓度范围:400ppm~5000ppm(量程可定制到10000ppm) |
测量间隔:2s |
Gas Types:二氧化碳 (CO2) |
Number of Gases Monitored:单一气体 |
Measurement Type:浓度 |
工作电压:4.2V~5.5V |
电流消耗:250mA 峰值电流; 5mA 谷值电流 20mA ;平均工作电流 |
自校准周期:自校准周期默认7 天 |
通讯接口:UART /IIC/PWM |
寿命:≥10年 |
尺寸:32.5×20.8×17.6mm |
Operating Humidity:0~90% RH(无凝结) |
传感技术:红外吸收检测 NDIR |
精度:± (50ppm + 5% 读数 ) |
工作温度:0~50°C |
Measurement Type:浓度 |
Gas Types:二氧化碳 (CO2) |
Number of Gases Monitored:单一气体 |
Response Time:T90=90s |
测量浓度范围:400~5000ppm |
测量间隔:2s |
电流消耗:300mA峰值电流 4mA ;正常工作电流 13mA ;平均工作电流 |
工作电压:4.2V~5.5V |
寿命:≥10年 |
尺寸:32.5×20×8.5mm |
Operating Humidity:0~90% RH(无凝结) |
储存条件:-20~60°C |
精度:± (50ppm + 5% 读数 ) |
传感技术:红外吸收检测 NDIR |
电流消耗:300mA峰值电流;4mA 正常工作电流;13mA 平均工作电流 |
自校准周期:上电后第一次自校准周期为24小时,之后自校准周期是7天 |
寿命:≥10年 |
尺寸:35.6×21.2×12.7mm |
工作环境:0~50°C;0~90% RH(无凝结) |
储存环境:-20~60°C |
测量浓度范围:400~5000ppm |
测量间隔:2s |
Gas Types:二氧化碳 (CO2) |
Response Time:T90=90 seconds |
Number of Gases Monitored:单一气体 |
Measurement Type:浓度 |
产品名称:红外增透滤光片 |
基底材料:单晶硅、蓝宝石、锗、氟化钙、硒化锌等 |
尺寸:可定制 |
产品名称:红外带通滤光片 |
基底材料:单晶硅、锗、氟化钙、硒化锌等 |
尺寸:可定制 |
产品名称:红外窄带滤光片 |
基底材料:单晶硅、蓝宝石、锗、氟化钙、硒化锌等 |
产品尺寸:可定制 |
产品名称:红外长波通滤光片 |
基底材料:单晶硅、锗、氟化钙、硒化锌等 |
尺寸:可定制 |
查看更多