类型:CMOS |
像素大小:3.75µm x 3.75µm |
有源像素阵列:1280H x 960V |
每秒帧数:45 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V,2.5V ~ 3.1V |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-PLCC(11.43x11.43) |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3.75µm x 3.75µm |
有源像素阵列:1280H x 960V |
每秒帧数:54 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3.75µm x 3.75µm |
有源像素阵列:1280H x 960V |
每秒帧数:54 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1280H x 800V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:69-WFBGA,CSPBGA |
供应商器件封装:69-ODCSP(5.55x5.57) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1280H x 800V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:69-WFBGA,CSPBGA |
供应商器件封装:69-ODCSP(5.55x5.57) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1280H x 800V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:69-WFBGA,CSPBGA |
供应商器件封装:69-ODCSP(5.55x5.57) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:4.2µm x 4.2µm |
有源像素阵列:1820H x 940V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:4.2µm x 4.2µm |
有源像素阵列:1820H x 940V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H × 1208V |
每秒帧数:40 |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1208V |
每秒帧数:40 |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1088V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.5V ~ 3.1V |
封装/外壳:48-PLCC |
供应商器件封装:48-PLCC(11.43x11.43) |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1088V |
每秒帧数:60 |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-mPLCC(11.43x11.43) |
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