新利18国际娱乐_专注于传感器技术领域

深圳市中弘微

深圳市中弘微电子科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路144号上步工业区205栋5层5A02房，注册机关为福田局，法人代表为张飞龙，经营范围包括一般经营项目是：电子产品及配件、电子元器件、半导体产品、集成电路、通讯设备、数码产品、电视机、家用电器、电脑及周边产品、开关电源、适配器、储存器、自动化设备销售；自动化控制技术软件研发、生产、技术成果转让、技术咨询；货物及技术进出口；计算机软硬件的技术研发与销售。

访问主页

Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

SVG06100NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

SVG10111NA6 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

SVG10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

SVG10170ND(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

SVG105R0NL5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

SVG15670NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

SVT03380PSA P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

SVT035R5NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

#{title}

#{title} 总共筛选出#{total}条产品数据 #{headerExpand}