波长:420nm |
颜色 - 增强:蓝色 |
频谱范围:300nm ~ 950nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:1ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):618nA |
有效面积:36mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
波长:420nm |
颜色 - 增强:蓝色 |
频谱范围:300nm ~ 950nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:1ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):618nA |
有效面积:36mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:160ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):100nA |
有效面积:9.43mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:160ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):450nA |
有效面积:9.43mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:110ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):1.9µA |
有效面积:9.43mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:8-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:110ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):3µA |
有效面积:15.45mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:14-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:110ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):3µA |
有效面积:15.45mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:14-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:250ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):7.5µA |
有效面积:36.85mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:36-WBGA |
波长:420nm |
频谱范围:200nm ~ 900nm |
二极管类型:雪崩 |
响应时间:250ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V |
电流 - 暗(典型值):7.5µA |
有效面积:36.85mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:36-WBGA |
波长:905nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:300nm ~ 1050nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:52 kA/W @ 905nm |
响应时间:1.5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):27 V |
电流 - 暗(典型值):520nA |
有效面积:1mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-WDFN |
波长:905nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:300nm ~ 1050nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:52 kA/W @ 905nm |
响应时间:1.5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):27 V |
电流 - 暗(典型值):520nA |
有效面积:1mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-WDFN |
波长:905nm |
颜色 - 增强:红外(NIR)/红 |
频谱范围:300nm ~ 1050nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:420 kA/W @ 905nm |
响应时间:900ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):25 V |
电流 - 暗(典型值):1.5µA |
有效面积:1mm² |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-SMD,无引线 |
感应距离:0.200inch(5.08mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电晶体管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
响应时间:20µs,80µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.200inch(5.08mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电晶体管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
响应时间:20µs,80µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.200inch(5.08mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电晶体管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
响应时间:20µs,80µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 2.0 MP 1/3 SOC |
封装:Tray |
系列:MT9D131 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:96 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 2.0 MP 1/3 SOC |
封装:Tray |
系列:MT9D131 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:96 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 2.0 MP 1/3 SOC |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:CLCC-48 |
封装:Reel |
系列:MT9D131 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:850 |
电源电压-最大:1.95 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 8 MP CO-PROCESSOR |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Tray |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:3840 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:8 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 14 MP 1/2.3 CMOS Image Sensor |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:ILCC-48 |
封装:Tray |
系列:MT9F002 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:2400 |
电源电压-最大:1.9 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:14 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 14 MP 1/2.3 CMOS Image Sensor |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:ILCC-48 |
封装:Tray |
系列:MT9F002 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工作电源电压:1.8 V |
工厂包装数量:240 |
电源电压-最大:1.9 V |
电源电压-最小:1.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:14 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 14 MP 1/2.3 CIS |
封装:Tray |
系列:MT9F002 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:240 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:14 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 10 MP 1" CMOS Image Sensor |
封装:Tray |
系列:MT9J003 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:240 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:10 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 10MP, Color |
封装:Tray |
系列:MT9J003 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:240 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:10 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 10 MP 1/2.3 CIS |
封装:Tray |
系列:MT9J003 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:240 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:10 Megapixels |
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