感应距离:0.118inch(3mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电达林顿管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
响应时间:7µs,45µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.118inch(3mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电达林顿管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):55 V |
响应时间:7µs,45µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.118inch(3mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电达林顿管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):55 V |
响应时间:7µs,45µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.118inch(3mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:光电达林顿管 |
电流 - DC 正向 (If)(最大值):50 mA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值):55 V |
响应时间:7µs,45µs |
工作温度:-55°C ~ 100°C |
安装类型:通孔,法兰 |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.124inch(3.15mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:NPN - 开路集电极,缓冲器 |
安装类型:通孔,法兰 |
电流 - 供电:5 mA |
电压 - 供电:4.5V ~ 16V |
响应时间:100ns |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
感应距离:0.124inch(3.15mm) |
感应方法:穿透光束 |
输出配置:图腾柱,反向 |
安装类型:通孔,法兰 |
电流 - 供电:5 mA |
电压 - 供电:4.5V ~ 16V |
响应时间:70ns |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
封装/外壳:开槽,PC 引脚 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
封装/外壳:径向,侧视图 |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:2832H x 2128V |
每秒帧数:160 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMOS IMAGE SENSOR |
封装:Bulk |
系列:KAC-06040 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:2832H x 2128V |
每秒帧数:160 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMOS IMAGE SENSOR |
封装:Bulk |
系列:KAC-06040 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:4000H x 3000V |
每秒帧数:70 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMOS IMAGE SENSOR |
封装:Bulk |
系列:KAC-12040 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:4000H x 3000V |
每秒帧数:70 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMOS IMAGE SENSOR |
封装:Bulk |
系列:KAC-12040 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 INTERLINE EMCCD 1080p |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 40 C |
最小工作温度:- 40 C |
封装 / 箱体:CPGA-135 |
封装:Bulk |
系列:KAE-02150 |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:15 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:15.3 V |
电源电压-最小:14.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2.1 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 INTERLINE EMCCD 1080p |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 40 C |
最小工作温度:- 40 C |
封装 / 箱体:CPGA-135 |
封装:Bulk |
系列:KAE-02150 |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:15 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:15.3 V |
电源电压-最小:14.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2.1 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:CCD |
说明:图像传感器 INTERLINE EMCCD 4Mp 7.4um pixel |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 40 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:CPGA-155 |
封装:Bulk |
系列:KAE-04471 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:4.4 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:CCD |
说明:图像传感器 INTERLINE EMCCD 4Mp 7.4um pixel |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 40 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:CPGA-155 |
封装:Bulk |
系列:KAE-04471 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:4.4 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:CCD |
说明:图像传感器 INTERLINE EMCCD 8Mp |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
最大工作温度:+ 40 C |
最小工作温度:- 40 C |
封装 / 箱体:PGA-155 |
封装:Bulk |
系列:KAE-08151 |
商标:ON Semiconductor |
工作电源电压:15 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:15.3 V |
电源电压-最小:14.7 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:8.1 Megapixels |
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