说明:板载压力传感器 JZ SILICON PRESSURE |
寿命周期:与工厂核实状态:
寿命周期信息不详。获取报价以从制造商那里核实此零件编号的供货情况。 |
封装 / 箱体:SIP-6 |
商标:Honeywell |
安装风格:Through Hole |
工厂包装数量:25 |
输出类型:Analog |
端口类型:Dual Radial Barbless |
子类别:Sensors |
产品类型:Pressure Sensors |
压力类型:Absolute |
说明:板载压力传感器 JZ SILICON PRESSURE |
寿命周期:与工厂核实状态:
寿命周期信息不详。获取报价以从制造商那里核实此零件编号的供货情况。 |
封装 / 箱体:SIP-6 |
商标:Honeywell |
安装风格:Through Hole |
工厂包装数量:25 |
输出类型:Analog |
端口类型:Dual Radial Barbless |
子类别:Sensors |
产品类型:Pressure Sensors |
说明:板载压力传感器 JZ SILICON PRESSURE |
寿命周期:与工厂核实状态:
寿命周期信息不详。获取报价以从制造商那里核实此零件编号的供货情况。 |
封装 / 箱体:SIP-6 |
商标:Honeywell |
安装风格:Through Hole |
工厂包装数量:25 |
输出类型:Analog |
端口类型:Dual Radial Barbless |
子类别:Sensors |
产品类型:Pressure Sensors |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
响应时间:50ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
视角:24° |
工作温度:-55°C ~ 125°C |
安装类型:通孔 |
响应时间:50ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
视角:24° |
工作温度:-55°C ~ 125°C |
安装类型:通孔 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:935nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:935nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:935nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:935nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 mA |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:935nm |
视角:24° |
功率 - 最大值:75 mW |
安装类型:通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:同轴,金属罐 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:PCB,通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:丸状 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:PCB,通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:丸状 |
电压 - 集射极击穿(最大值):15 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):250 nA |
波长:880nm |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:PCB,通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:丸状 |
响应时间:50ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
视角:48° |
工作温度:-55°C ~ 125°C |
安装类型:通孔 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:880nm |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:PCB,通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:丸状 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
波长:880nm |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:PCB,通孔 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:丸状 |
电压 - 集射极击穿(最大值):30 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 mA |
电流 - 暗 (Id)(最大值):100 nA |
视角:48° |
功率 - 最大值:125 mW |
安装类型:表面贴装型 |
方向:顶视图 |
工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) |
封装/外壳:微型粒状 |
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