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Yokoven 深圳粤科源兴
深圳市粤科源兴科技有限公司(原新科源)是华强北电子供应商。公司始建于1999年。是一家全球电子元器件一站式供应商,公司致力于为全球电子企业提供高质量电子元器件低价格的分销服务。深圳市粤科源兴科技有限公司产品主要应用领域有工业控制、科研项目、医疗电子、汽车电子、通信、仪器仪表等领域。依托强大的信息处理系统、高效、专业的物资控制管理平台和高素质的人员,以及6000多家电子产品品牌供应渠道和现货库存。深圳市粤科源兴科技有限公司致力于为客户打造一站式、全方位的电子元器件供应链支持解决方案。我们有能力满足客户的各种期货和现货需求,并准确和迅速。深圳市粤科源兴科技有限公司集国内外各种资源于一体,以优质的产品、良好的信誉和贴心的服务赢得了客户的高度认可。我们的业务包括帮助电子制造商获得最快的短缺或关闭电子元器件,降低电子元器件的成本,长期供应解决方案,缩短电子元器件的交货时间,发送电子元器件过剩库存,组件检测和一系列供应链解决方案,我们的每小时全球采购确保及时响应客户的紧急需求。利用我们先进的数据系统、全球采购网络和半导体供应商、世界不同地区的代理分销商、EMS、OEM优先供应协议、每天24小时向国际市场的客户查询材料、分析价格和寻找替代产品,以确保及时提供客户的紧急需求,原厂新产品质量保证,及时交付客户。为了满足客户对交货期的要求和紧缺零部件的质量,深圳市粤科源兴科技在香港设立物流中心和检测中心,并严格按照ISO 9001质量标准发货。所有货物在装船前都经过严格的检验,以确保原工厂的原装。特快专递服务用于确保向客户送货,降低电子元器件长期供应的成本,减少电子元器件的交付时间。通过半导体工厂、全球各地经销商的特殊供应渠道、EMS与OEM的联合采购,帮助客户降低零部件BOM的总成本,稳定库存,缩短交货时间,提供专业市场信息及技术支持。深圳市粤科源兴科技有限公司为客户提供全球专业的电子报价和市场信息.在此同时我们公司同时提供技术支持服务和综合解决方案。我们的核心使命;让您零库存,无风险,高效运营!
  • Silan 士兰微 SVS11N65FJHE2 超结MOS功率管

    SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11N65FJHE2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS11NF60DD2 超结MOS功率管

    SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS11NF60DD2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS5N105FD2 超结MOS功率管

    SVS5N105FD2   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS5N105FD2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R125FE3 超结MOS功率管

    SVS60R125FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R125FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R160FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R160FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R160FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 超结MOS功率管

    SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R280FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R280FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R280FJDE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R300DHE3 超结MOS功率管

    SVS60R300DHE3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R300DHE3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 超结MOS功率管

    SVS60R570F(FJD)(D)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 超结MOS功率管

    SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS65R300FE3 超结MOS功率管

    SVS65R300FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS65R300FE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS70R420D(S)E3 超结MOS功率管

    SVS70R420D(S)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R420D(S)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 超结MOS功率管

    SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管

    SVS80R800FJH(D)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVSP35NF65P7D3 超结MOS功率管

    SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP35NF65P7D3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
  • Silan 士兰微 SVSP60R190L8AE3 超结MOS功率管

    SVSP60R190L8AE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP60R190L8AE3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。

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