新一代同步动态随机存取存储器（SDRAM），双倍数据速率（DDR5），将提供更高的性能，更大的带宽，更快的数据传输和更低的功耗。
从DDR4和DDR5的飞跃不是增量开发，而是从2400 MHz的标准频率到4800 MHz的飞跃。据三星称，DDR5存储器可以在一个时钟周期内发送和接收两倍于DDR4的数据信号，从而提高了容量和更快的传输速率。
DDR5尚未出现，但许多供应商已为该技术在未来两年中的落地发展做出了明确的决定。
DDR5与DDR4有何不同？
SK hynix最近发布了一份报告，其中概述了从DDR4到DDR5的若干预期变化：
1.DDR5的内存访问量是DDR4的两倍，因为其体系结构具有基于8个存储组的32banks1结构。
2.DDR5的突发长度（BL）2为16，而DDR4为8。
3.DDR4与刷新时无法执行其他操作的DDR4不同，DDR5允许通过“ Same Bank Refresh”功能并发访问银行。
4.DDR5具有决策反馈均衡（DFE）电路，该电路可在通道运行期间降低反射噪声，从而提高每个引脚的速度。
5.DDR5的工作电压为1.1 V，而DDR4的工作电压为1.2 V；这种变化意味着每带宽功耗降低了20％。
图表比较了DDR4和DDR5的主要规格，图片由SK hynix提供
DDR5优势的信息图，图片（修改）由SK hynix提供
美光：DDR5的开拓者
美光（Micron）在过去40年中一直在重新定义存储器和存储解决方案，并且是最早在1月份推出DDR5承诺的供应商之一。美光针对下一代SDRAM声明的目的是减轻数据中心服务器的负担。他们还针对移动设备。
美光的移动应用LPDDR5 DRAM专为5G而设计，图片由美光提供
美光的低功耗（DDR）DDR5 DRAM将集成到摩托罗拉的新型edge +智能手机中，为消费者带来“ 5G体验的全部潜力”。摩托罗拉表示，新的智能手机将配备高分辨率摄像头，超大显示屏以及用于流媒体娱乐的高带宽。
LPDDR5的高速和低功耗特性将使移动和汽车设备能够紧跟AI技术，自动驾驶，5G网络和相机创新。
瑞萨支持带传感器的DDR5模块
瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corporation）最近宣布推出一种新型精密温度传感器TS5111，专门为支持DDR5存储器模块而制造。瑞萨的TS5111传感器将提供警告标志，以进行存储器刷新，这对于芯片制造商而言是至关重要的一步。没有内存刷新功能，存储的数据最终将丢失。
该传感器尺寸为0.8 mm x 1.3 m，具有高达12.5 MHz的数据传输速率，并包括一个1.8 V和1.1 V电源输入。
瑞萨的存储器接口产品组合包括DDR5 RCD，PMIC，SPD集线器和TS器件，图片由瑞萨电子提供
DDR5具有适合航空航天传感器的关键特性：精度高，功耗低且占用空间小。航空推进器和乘员车需要这种传感器来准确地测量和监视温度波动。
是德科技发布DDR5设计和测试工具
是德科技还为更广泛地采用DDR5铺平了道路。是德科技最近在DesignCon 2020上推出了DDR5内存解决方案的“世界上第一个设计和测试工作流解决方案”。据说该新解决方案可减少DDR5动态随机存取存储器（DRAM）系统的产品开发时间。
由于DDR5的数据速率是DDR4的两倍，因此硬件设计人员面临着不断缩小的设计余量，可以解决抖动，串扰和反射问题。DDR5 DRAM通过决策反馈均衡（DFE）恢复这些严重失真的信号，这与以前的DDR迭代的常规测量和仿真过程不同。
是德科技的DDR5完整设计和测试解决方案。图片由是德科技提供
是德科技旨在通过引入新的发射器测试工具，环回误码率（BER）测试以及用于调试DDR5流量事务的逻辑分析来减少停机时间，并使开发人员能够按时交付产品。
三星从DDR4升级到DDR5
通过DDR5，三星开发人员旨在重组内存的体系结构，使其能够处理现代CPU的每核带宽需求。
三星的DDR5允许高达4800 Mbps的数据传输，图片由三星提供
DDR5同步动态随机存取存储器（SDRAM）旨在帮助解决数据中心服务器中存在的大量工作负载。三星表示，DDR5 SDRAM可提高典型数据中心所需的可靠性，可用性和可维护性（RAS）。
三星计划将DDR5与最新的TSV-8层技术集成在一起，这是一种具有挑战性的封装方法，它将利用DDR5的容量是DDR4的两倍。
DDR5的下一步是什么？
在SK hynix对DDR5的报道中引用的一份报告中，国际数据公司（IDC）声称DDR5将“在2021年占整个DRAM市场的22％，到2022年占43％”。SK海力士已宣布计划今年增加DDR5内存芯片的生产。
三星的第四代基于10nm级（1a）EUV的16Gb DDR5 / LPDDR5将于2021年实现量产。
三星声称将加速与备受期待的移动设备从DDR4过渡到DDR5，从而加强与领先的IT客户和半导体供应商的合作。尽管在接下来的几个月中我们不会看到从DDR4到DDR5的这种转变的全部效果，但是这些前景表明，我们有望进行一场内存革命。
本文翻译自All About Circuits，作者： Antonio Anzaldua Jr.