DigiTimes援引“知情人士”的话称，存储器制造大厂美光科技（Micron）正在扩大对中国台湾地区工厂的投资，以提升1z纳米DDR4DRAM的产能。作为该公司的最新工艺，其在存储密度、能效、速率等方面均有较大的提升。据悉，1z纳米的标准制程节点在12~14nm之间，而1y纳米的制程节点在14~16nm之间。
报道称美光在台中工厂的1z纳米产能正在爬坡，且当前专注于制造面向台式机和笔记本电脑的16GbDDR4DRAM。
同时该公司计划在桃园工厂推动1y纳米制程的量产，以及在日本广岛工厂努力生产面向移动平台的低功耗内存产品。
未来1至2年，美光还将在1z纳米制程节点上打造大部分早期的DDR5内存产品。
在DDR5的需求变得旺盛之前，该公司仍有足够的时间来打磨成熟的1z纳米DDR4产线。