4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
据悉，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。打一个形象的比喻，如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
此外，同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
据了解，X2-6070和X2-9060两款产品均采用长存自研Xtacking2.0架构，在1.2V Vccq电压下实现了1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率，I/O读写性能更强。而将读写速度从533Mbps提升到1.6Gbps，长江存储只用了大约2年的时间，业界则通常需要5年以上。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking 2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”
据介绍，长江存储128层NAND闪存将于最晚明年上半年开始量产，未来将在满产时配合10万片月产能，将在平衡全球供应上发挥关键作用。
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