谭普顿先生表示：“今天是一个重要的里程碑，我们将为半导体在电子产品领域的发展奠定基础，以满足客户未来几十年的需求。公司成立90多年以来，我们一直致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，让世界更美好。我们很高兴谢尔曼先进的12英寸半导体晶圆制造基地将帮助TI持续提升制造能力和技术竞争优势。”
此项目投资约300亿美元，计划建造四座工厂以满足长期的市场需求。这些新工厂每天将制造数千万颗模拟和嵌入式处理芯片，广泛地应用于全球市场的各类电子产品领域。
据悉谢尔曼晶圆制造基地中的首座工厂预计于2025年开始投产。该晶圆制造基地将加入TI现有的12英寸晶圆制造厂阵营，包括德州达拉斯（Dallas）DMOS6；位于德州理查森（Richardson）的RFAB1和即将竣工并预计于2022年下半年开始投产的RFAB2；以及位于犹他州李海（Lehi）预计于2023年初投产的LFAB。谭普顿先生表示：“我们对长期产能的持续投资，将进一步提升公司的成本优势，并加强对供应链的控制能力。”
一直以来，TI对长期产能持续投资，不断提升制造能力和技术竞争优势，以支持客户未来几十年的增长。TI在中国成都的生产制造基地集晶圆制造、封装、测试、凸点加工和晶圆测试为一体，目前正在扩建第二座封装/测试厂房。