据悉，韩国科学技术研究院一个团队已经成功开发出一种新的化合物，可以取代GaN来生产蓝光LED，该研究成果的意义在于，通过在硅衬底上生长高质量的铜卤素单晶碘化铜，实现高效的蓝光发射，在世界范围内首次展示了一种新的使用铜卤素化合物的半导体材料新技术。
该团队使用碘化铜（CuI）化合物发出蓝光，该化合物是通过合成铜和碘制成的。研究小组说：“我们发现碘化铜半导体可以发出比GaN基器件高 10 倍的蓝光。它们还具有出色的光电效率和长期的器件稳定性。”
研究人员研发的碘化铜半导体可以在低成本、缺陷小的硅衬底上生长，因此具有使用目前市面上可买到的大尺寸硅衬底(300 毫米)的优势。此外，碘化铜薄膜的生长温度与硅基工艺中使用的温度（低于300摄氏度）相似，因此可以在不牺牲性能的情况下沉积碘化铜薄膜。因此，它可以应用于低成本、简单的硅半导体工艺。
LED需要红，绿和蓝三色搭配才能产生白光。此前，日本已经开发出一种制造高质量GaN的方法来生产蓝光LED，该LED被用作智能手机，显示器，电子产品和高频设备的核心设备。
GaN是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频率等要求。