Tower 半导体宣布扩展其电源管理平台，发布其zui先进的第二代 65nm BCD，将操作范围扩大到 24V，并将 RDSON 降低 20%。该公司还在其 180nm BCD 平台上添加了深沟槽隔离，可将电压高达 125V 的芯片尺寸降低 40%。新版本满足了对更高电压和更高功率 IC 不断增长的需求，进一步增强了 Tower 在功率器件方面的ling先市场地位。
    Tower 的 65 纳米 BCD 平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的ling先优势而被称为一流的 sub-90 纳米 BCD 技术。第二代 65nm BCD 受益于功率性能和芯片尺寸减少多达 20%，这是由于用于高达 16V 的器件的 LDMOS RDSON 减少以及电压扩展到 24V 运行。这些进步满足了计算和消费市场对单片大功率转换器的需求，包括用于 CPU 和 GPU 的高功率电压调节器以及充电器、大功率电机驱动器和功率转换器等应用。
    该公司的 180nm BCD 在电压覆盖、隔离方案、功率性能、芯片尺寸和掩模数量方面是业界zui宽、一流的平台。180nm BCD 深沟槽隔离方案在单个 IC 内提供了更好的抗噪性，在升高的电压下具有灵活性，可以在多个隔离方案之间进行选择，并将芯片尺寸减少多达 40%。