作为 AMD 的“前女友”，格罗方德（GlobalFoundries）已经退出了业内最领先的制造技术竞赛，但是看到了面向 5G 应用的 RF-SOI 芯片、以及面向低功耗设备的 FD-SOI 芯片的巨大前景。本周，该公司与 GlobalWafers（GWC）签署了一份谅解备忘录（MOU），以开发 300 mm SOI 晶圆的长期供应合同。

据悉，这是格罗方德在不到一年的时间里，签署的第二份 SOI 晶圆长期供应协议（WSA）。

绝缘底上硅（SOI）技术曾用于打造顶尖的处理器，但现如今已得到广泛的应用。

包括那些需要超低功耗的应用（IoT 领域的 SoC 和 MCU）、高电压（模拟 / 混合信号制式）、或高电阻系数产品（比如 4G / 5G 智能机的 FEMI 前端模块）。

这些都需要使用所谓的特殊制造工艺，因此引发了格罗方德的极大兴趣。

此外伴随着 5G 和物联网的兴起，RF-SOI 和 FD-SOI 将在此类芯片的量产上发挥重要的作用。

目前格罗方德旗下运营着七座 300 mm 晶圆厂（包括位于纽约 East Fishkill 的 Fab 10 工厂）和三座 200 毫米晶圆厂。

该公司最大的 300 mm 晶圆厂（Fab 1）将专注于 SOI 产品的制造，新加坡的 Fab 7 工厂亦将同时大批量使用 SOI 技术。

Fab 10 工厂可使用基于 SOI 的工艺来处理晶圆，此外格罗方德正计划在中国程度新建另一座 300 mm 晶圆厂。

其将借助 22FDX 技术来制造芯片，最终让自家的 200 mm 工厂也用上 SOI 晶圆。

作为全球最大的 SOI 晶圆客户，格罗方德将从 Soitec 和 GlobalWafers Co. 那里采购 200 mm 和 300 mm 基板。

仅在去年，格罗方德和 Soitec 就已经在 2017 年签署的 WSA 供应协议的基础上，补充了一项持续多年的 300 mm SOI 晶圆供应协议。

事实证明，格罗方德的高级 RF-SOI 工艺甚至需要 300 mm 以上的 SOI 晶圆。

因此作为新合约的一部分，该公司才如此积极地帮助 GWC 显著壮大其 SOI 晶圆制造能力。至于具体的消耗量，格罗方德、Soitec 和 GWC 均未透露。