2月27日，格芯宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。
格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和密度优势。
格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存储器(eNVM)，已通过了5次严格的回流焊实测，在-40℃至125℃温度范围内具有100,000次使用寿命和10年数据保存期限。FDX eMRAM解决方案支持AEC-Q100 2级设计，且还在开发工艺，预计明年将支持AEC-Q100 1级解决方案。
格芯汽车、工业和多市场战略业务部门高级副总裁和总经理Mike Hogan表示：“我们将继续通过功能丰富的可靠解决方案实现差异化FDX平台，客户可利用这些解决方案来构建适用于高性能和低功耗应用的创新产品。我们的差异化eMRAM部署在业界先进的FDX平台之上，可在易于集成的eMRAM解决方案中实现高性能射频、低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，帮助客户提供新一代超低功耗MCU和物联网应用。”
格芯携手设计合作伙伴，即日起提供定制设计套件，包括通过芯片验证的插入式MRAM模块（4至48MB），以及MRAM内置自检功能支持。
eMRAM是新一代存储技术，拥有RAM内存读写速度、能够与NAND闪存一样具有非易失性的新型存储介质，断电不会出现丢失数据，而写入速度是闪存的数千倍。格芯预计将在FinFET和未来的FDX平台上推出，作为公司先进eNVM路线图的组成部分。格芯位于德国德累斯顿1号晶圆厂的先进300mm产品线将为MRAM 22FDX的量产提供支持。
