力科发布更精确的宽禁带半导体分析测量系统

力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件，与高精度示波器 (HDO) 结合使用时，可提供最准确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。

三十多年来，工程师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而，消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统，而政府要求更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，开关速度比 Si 快十倍以上，并且在提高效率的同时减小了尺寸和重量。工程师采用宽禁带半导体设计系统时，需要更大的测量带宽，以对半导体器件进行更准确和详细的分析。

力科新型DL-ISO高压光隔离探头为设计工程师提供了最可靠的 GaN 和SiC 功率半导体器件测量。新探头配合力科业界领先的12 位分辨率HDO示波器具有最佳的信号保真度、最低的过冲和最佳的准确度1.5%，几乎是竞争对手的两倍。

1 GHz 带宽满足测量 GaN 器件1 ns 上升时间的要求。 HDO示波器还在12 位分辨率下提供高达20 GS/s 的采样率，以捕获和显示最真实的高速 GaN 和 SiC 器件信号。这种最佳信号保真度、低过冲、高精度、高带宽和高采样率的组合对于在新设计中成功实施 GaN 和SiC 技术至关重要。

力科新的功率器件软件包自动执行JEDEC开关损耗和其他测量，以颜色编码突出显示相关的测量区域，进一步简化了 GaN 和SiC 器件的分析。