随着用户对充电器通用性、便携性的需求提高，GaN快充市场规模将快速上升，预计 2020 年全球 GaN 充电器市场规模为 23 亿元，2025 年将快速上升至 638 亿元，5 年复合年均增长率高达 94％。同时，综合性能和成本两个方面，GaN 也有望在未来成为消费电子领域快充器件的主流选择，而充电市场只是 GaN 应用的“冰山一角”。
小米日前发布年度旗舰手机小米10，同步推出一款Type-C 65W GaN充电器成功吸引了投资者的目光，次日A股上市公司三安光电、海特高新、富满电子、云南锗业、士兰微等相关概念股纷纷获得大涨。
真实需求or营销噱头
据小米集团董事长兼CEO雷军介绍，GaN是一种新型半导体材料，做出的充电器体积特别小，充电效率却特别高，发热低，同时兼容手机与笔记本电脑。小米GaN 65W充电器比标配的65W充电器体积要小一半，充满配备4500mAh电池的小米10 Pro仅需45分钟。同样为iPhone 11充电，GaN充电器速度比原装快一倍。
实际上，小米并不是第一个发布GaN充电器的手机厂商。早在去年11月，OPPO发布的Reno Ace手机便搭载了GaN充电器。
此外，华为、三星、苹果也在GaN技术上有着较深的积累，海思、中兴微电子等也早有布局，据业内人士透露，今年华为、vivo等手机品牌厂商还会推出GaN充电器。
根据市场研究机构Yole估计，2024年，仅在手机和笔记本快充领域，氮化镓市场可达3.58亿美元；乐观情况下，氮化镓功率市场规模将超过7.5亿美元。
不过，有使用过GaN充电器的业内人士表示，与Si相比，GaN充电器的体积并没有小太多，发热功率跟大。同时，不少网友都认为这款65W GaN充电器仅仅是手机厂商一种营销的噱头。
作为国家宽禁带半导体工程研究中心的共建单位，亚成微在基于GaN集成电路的研发方面已经取得实质性突破。亚成微董事长余远强表示，GaN高频、高温、抗辐照特性应用比较广泛，快充就是ACDC电源应用，涉及到驱动芯片和GaN功率器件。
余远强进一步指出，亚成微就是做驱动芯片，这部分要设计适应GaN功率器件的驱动IC，驱动IC的追求就是高功率密度，而输出功率跟开关频率和电感量成正比关系，因此希望有更高的开关工作频率就对GaN的高频特性产生的兴趣，目前快充电源基本工作在100KHz开关频率，假想如果采用GaN功率器件，把开关频率提高到1MHz（1000KHz），开关工作频率提高10倍，我们是不是可以把电感量减小10倍，那么快充的变压器体积就大大减小（目前变压器体积是阻碍功率密度提高的关键之一）。同时，GaN的开关损耗以及Rdson（导通损耗）比VDMOS有明显的优势，对电源效率提高有帮助。
由此可见，GaN 充电器确实能做到更高功率、更小体积和更高转化效率，对于消费者而言能更加方便携带以及充电更快，将成为充电器升级的重要方向。
值得一提的是，余远强坦言，目前阶段驱动IC做高频500KHz--1MHz的产品有点难度，但是Si工艺成熟，困难不大。
谈到GaN的产业现状，余远强表示，目前国内GaN功率器件并没有量产条件，由于GaN产业链不齐全，硅基GaN材料和GaN工艺都不成熟，PI、纳微（与小米合作GaN的公司）和亚成微等做驱动IC的公司都是在台积电、汉磊等台湾代工厂进行代工。不过，台湾代工厂做的硅基GaN功率器件也是属于耗尽型器件，工作频率很低，只发挥了GaN的低Rdson（导通电阻）这点特性。因此，目前亚成微提高功率密度的方案是coolMOS。
集微网采访了多名业内人士得知，GaN功率器件市场并不大，相对于成熟的Si而言，GaN产业链目前并不成熟，价格偏高，可靠性、成本等各方面都不具压倒性优势。目前，深耕GaN领域多年的英飞凌在快充市场主推的也是coolMOS方案。
国内有哪些上市公司布局？
从上述内容可知，虽然目前GaN产业链并不成熟，但确实有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸等优势。
除了应用在快充方面，GaN通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域，5G 通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。
鉴于GaN广阔的市场前景，闻泰科技、三安光电、海特高新等国内上市公司也纷纷布局GaN产业链。
闻泰科技旗下安世半导体是全球最大的IDM标准器件半导体供应商，根据安世半导体官网称，公司推出氮化镓效应晶体管(GanFET)，该产品主要应用于工业电源、逆变器、转换器、汽车牵引逆变器和车载充电器和转换器等场景。
三安光电旗下三安集成是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的 4 英寸、6 英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的 SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
2月17日，耐威科技在互动平台上表示，公司氮化镓业务涉及外延片及器件，但截至目前仍处于起步阶段，正在接洽不同的客户/潜在客户。
2月19日，海特高新在互动平台上表示，公司的重点方向是光电、基站芯片、电力电子。公司2019年在硅基氮化镓功率电子方面实现了突破，未来最重要的两个方向是硅基氮化镓及氮化硅的MOS技术，是国内能进行硅基氮化镓量产公司。公司已经开发了0.25-0.5μm的氮化镓工艺，正在研发用于更高频率的氮化镓工艺。
2月21日，风华高科在互动平台表示，公司GaN氮化镓半导体产品业务在研发阶段；超级电容尚未规模化生产。
2月21日，捷捷微电在互动平台上表示，公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2020年2月20日，公司拥有氮化镓相关实用新型专利2件，此外，公司还有3个发明专利，1个实用新型专利尚在申请受理中。
2月18日，台基股份在互动平台表示，电力电子技术日新月异、发展很快，公司持续跟踪和研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，提升核心竞争力，促进公司战略发展。
2月21日，海能实业在互动平台上表示，目前公司使用氮化镓技术的产品主要为旅行充电器和充电站（四口及以上多口充电器），其中包含单个USB Type-C充电器、双USB Type-C充电器、USB Type-C + USB Type-A双口充电器、多口充电器等;该类充电器已经转量产的产品有十余款;市面上已经在销售中，但公司为ODM制造工厂，未得到客户准许不能透露客户品牌信息。
2月21日，兆驰股份在互动平台上表示，兆驰半导体能够独立完成“蓝宝石平片→图案化基板PSS→LED外延片→LED芯片”整个制作流程，有氮化镓外延片，能够提供全面的芯片解决方案。
2月21日，中恒电气在互动平台上表示，公司已将GaN功率器件应用在通信电源中，性能得到了大幅提高，目前GaN还非市场主流且成本相对较高，但公司会根据产品要求及应用场景选择最合适的元器件，做出高质量的产品及综合解决方案。
2月21日，聚灿光电在互动平台上表示，公司的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片。