“新思科技（Synopsys, Inc.）最近宣布推出英特尔OEMIB先进包装技术的可量产多裸晶芯片设计参考流程，采用Synopsysysy.ai™ EDA综合解决方案和新思科技IP。优化的参考流程通过新思科技3DIC提供了统一的协同设计和分析解决方案 Compiler加速了从芯片到系统各个阶段多裸晶芯片设计的探索和开发。
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3DIC 结合新思科技IP，Compiler协同设计和分析解决方案，加快英特尔代工EMIB技术的异构集成
• 新思科技人工智能（AI）驱动型多裸晶芯片（Multi-die）设计参考流程已扩展到英特尔代工（Intel Foundry）EMIB先进的包装技术可以提高异构集成的结果质量；
• 新思科技3DIC Compiler是一个统一的平台，可以支持英特尔OEMIB包装技术的多裸晶芯片协同设计；
• 多裸晶芯片设计的新思科技IP支持高效芯片到芯片（die-to-die）对高内存带宽的连接和要求。
新思科技（Synopsys, Inc.）最近宣布推出英特尔OEMIB先进包装技术的可量产多裸晶芯片设计参考流程，采用Synopsysysy.ai™ EDA综合解决方案和新思科技IP。优化的参考流程通过新思科技3DIC提供了统一的协同设计和分析解决方案 Compiler加速了从芯片到系统各个阶段多裸晶芯片设计的探索和开发。此外，新思科技3DSO.AI和新思科技3DICCC Compiler原生集成，优化了信号、电源和热完整性，大大提高了生产力，优化了系统性能。
Sanjay，新思科技EDA事业部战略及产品管理副总裁 “随着带宽需求飙升到一个新的高度，许多公司正在加速多裸晶芯片设计，以改善其人工智能（AI）和高性能计算（HPC）处理能力和性能的应用。我们与英特尔OEM长期深入合作，为其EMIB包装技术创建了大规模生产的人工智能驱动多裸晶体芯片设计参考流程，为我们的共同客户提供了全面的解决方案，帮助他们成功开发了10亿到1万亿晶体管的多裸晶体芯片系统。”
Suk，英特尔代工副总裁兼生态系统技术办公室总经理 Lee说:“为了应对多裸晶芯片架构在设计和包装上的复杂性，需要采用全面、全面的方法来解决散热、信号完整性和互连的挑战。结合新思科技认证的多裸晶芯片设计参考流程和可信IP，英特尔OEM的制造和先进的包装技术为开发者提供了全面可扩展的解决方案，使他们能够利用英特尔OEMIB包装技术快速实现异构集成。”
AI驱动EDA参考流程和IP为多裸晶芯片设计
新思科技为快速异构集成提供了全面、可扩展的多裸晶芯片系统解决方案。从芯片到系统的综合解决方案可以实现早期的架构探索、快速的软件开发和系统验证、高效的芯片和包装协同设计、稳定的芯片到芯片连接，以及更高的制造和可靠性。新思科技3DIC Compiler是多裸晶芯片系统解决方案的关键组成部分，它与Ansysysiler® RedHawk-SC Electrothermal™结合多物理场技术，解决了2.5D/3D多裸晶芯片设计中的关键电源和散热问题已被世界领先的科技客户采用。此外，该解决方案还可以为2.5D和3D多裸晶芯片设计自主AI驱动优化引擎新思科技3DSO.ai，快速大大提高系统性能和成果质量。
目前，新思科技正在为英特尔OEM技术开发IP，提供构建多裸晶芯片包装所需的连接，降低集成风险，加快产品上市时间。与传统的手动流程相比，新思科技IP和新思科技3DIC Compiler的结合可以提供自动布线、中介研究和信号完整性分析，从而减少30%的工作量，提高15%的结果质量(以裕度衡量)。
上市时间和更多资源
该参考流程已上市，可通过英特尔OEM或新思科技获得。