5月23日，日本东芝电子元件及存储装置株式会社（TOSHIBA）宣布其12英寸晶圆功率半导体制造厂和办公楼已完工。
东芝表示，现阶段正在安装相关设备，力争在2024财年下半年开始大规模生产。据报道，在项目全面大规模生产后，其MOSFET和IGBT的生产能力预计将是原预订的2.5倍。第二阶段的建设和运营时间将根据市场情况进一步决定。
东芝表示，新制造厂具有吸收地震冲击的隔震结构和供电功能。整个工厂投入量产后，可再生能源和建筑屋顶太阳能电池板的能源将通过可再生能源满足100%的电力要求。
(JSSIA整理)