最近，行业消息显示，为了应对人工智能(AI)热潮带动对存储芯片的需求增加，三星电子和美光都扩大了存储芯片的生产能力。三星决定在2024年第三季度重启新平泽工厂(P5)基础设施建设。美光正在爱达荷州博伊西总部建设HBM测试生产线和大规模生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能繁荣带来的更多需求。
三星重新启动新平泽工厂(P5)
据外媒报道，三星电子决定重启新平泽工厂(P5)基础设施建设，预计最早将于2024年第三季度重启，竣工时间估计为2027年4月，但实际投产时间可能较早。
据此前报道，该厂于1月底停工，三星当时表示“这是协调进度的临时措施”，“投资尚未到位”。业内对三星P5厂恢复建设的决定进行了多方解读，更多的是为了应对人工智能(AI)这股热潮带动了对存储芯片的需求，公司进一步扩大了生产能力。
据报道，三星P5厂是一家拥有8个洁净室的大型晶圆厂， P1 至 P4 只有四个洁净室。这使得三星电子能够满足市场需求的大规模生产能力成为可能。然而，目前尚未披露P5的具体用途。
据韩国媒体报道，三星电子于5月30日召开董事会内部管理委员会会议，提交并通过了P5基础设施建设议程。首席执行官兼DX部门负责人Jong管理委员会-hee Han担任主席，包括MX业务部负责人Noh Tae-moon、管理支持总监Park Hak-gyu和存储业务部门负责人Leee Jeong-bae。
三星公司担任副总裁兼DRAM产品和技术总监 Sang-joong 今年3月表示，预计今年HBM产量将是去年的2.9倍。与此同时，该公司发布了HBM路线图，预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步提高到2023年水平的23.1倍。
美光在美国建设HBM测试生产线和量产线
6月19日，多家媒体报道称，美光正在爱达荷州博伊西总部建设HBM测试生产线和量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能繁荣带来的更多需求。据悉，美光博伊西晶圆厂将于2025年投产，DRAM生产将于2026年启动。
美光此前宣布计划在一年后将其高带宽内存放置 (HBM) 市场份额从目前的“中位数”增加到20%左右。到目前为止，美光已经在许多地方扩大了存储容量。
4月底，美光科技在其官方网站上正式宣布，它获得了61亿美元的政府补贴。这些拨款和额外的州和地方激励措施将支持美光在爱达荷州建立领先的DRAM存储器制造商，并在纽约克莱镇建立两家先进的DRAM存储器制造商。
爱达荷州的工厂已于2023年10月开工。美光表示，工厂预计将于 DRAM的生产将于2025年推出并投入运营，DRAM的产量将在2026年正式开始，DRAM的产量将随着行业需求的增长而增加。包括NEPA在内的纽约项目正在进行初步设计、实地研究和许可申请。根据未来十年的市场需求，该晶圆厂的建设预计将于2025年开始，并于2028年投产并贡献产量。新闻稿称，美国政府的补贴将支持美光计划到2030年为美国领先的存储器制造投资约500亿美元的总资本支出。
今年5月，日本媒体《日报工业新闻》报道称，美光将在日本广岛投资6000~8000亿日元建造一个极紫外线(EUV)先进的DRAM芯片厂预计将于2026年初开工，最早于2027年底完工。此前，日本已批准多达1920亿日元的补贴，支持美光在广岛建厂，生产新一代芯片。
据悉，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。
在马来西亚建厂方面，美光于2023年10月在马来西亚槟城的第二家智能（尖端组装和测试）工厂开业，最初投资10亿美元。第一家工厂建成后，美光增加了10亿美元，扩大了第二家智能工厂，将工厂的建筑面积扩大到150万平方米。