ST将在意大利卡塔尼亚建设8英寸碳化硅动力设备和模块大规模制造和封闭测试基地，长期投资计划预计投资50亿欧元，包括意大利政府根据欧盟芯片法案框架提供20亿欧元卡塔尼亚碳化硅工业园区将实现ST碳化硅制造综合垂直集成计划，从芯片研发到制造，从晶圆底部到模块生产，使汽车和工业客户的电气化进程和多个电子应用领域的高效转型服务，以及世界顶级半导体公司的意大利半导体 (STMicroelectronics, 简称ST; 纽约证券交易所代码： STM)，宣布将在意大利卡塔尼亚建造8英寸碳化硅(SiC)集功率器件和模块制造、包装和测试于一体的综合性大型制造基地。意大利半导体将整合同一地点现有碳化硅衬底制造商，建设碳化硅工业园区，实现公司在同一园区全面垂直整合制造和大规模碳化硅生产的愿景。意大利半导体将整合同一地点现有的碳化硅衬底制造商，建设碳化硅工业园区，实现公司在同一园区全面垂直整合制造和大规模生产碳化硅的愿景。意大利半导体将整合同一地点现有的碳化硅衬底制造商，建设碳化硅工业园区，实现公司在同一园区全面垂直整合制造和大规模生产碳化硅的愿景。新碳化硅工业园区的实施是意大利半导体的重要里程碑，将帮助客户在汽车、工业和云基础设施的帮助下加快电气化，提高能源效率。意大利半导体总裁兼首席执行官-Marc 克里斯说：“卡塔尼亚碳化硅工业园区将为ST带来完全垂直集成的碳化硅制造实力，为STSIC技术在未来几十年在汽车和工业市场保持领先地位做出巨大贡献。”。该项目带来的规模经济和协同效应将使我们能够更好地利用大规模制造能力进行技术创新，帮助欧洲乃至世界各地的客户加快电气化转型，寻求更高的能效解决方案，实现低碳减排目标。“作为意大利半导体全球碳化硅生态系统的中心，碳化硅工业园区将整合碳化硅晶片衬底开发、延伸生长过程、8英寸晶圆制造和模块包装、工艺研发、产品设计、先进的裸片、电源系统、模块研发实验室和包装测试。该项目将成为欧洲第一个集碳化硅生产（衬底、外延、晶圆加工和芯片密封试验为一体的一站式8英寸碳化硅综合制造基地。该项目将采用8英寸晶圆制造技术，以提高芯片的良率和性能。该项目预计将于2026年投产，2033年前达到全部产能。全面完成后，晶圆产量可达1.5万片/周。该项目总投资预计约为50亿欧元，意大利政府将根据欧盟芯片法案框架提供约20亿欧元的财政支持。从设计、开发到运营，碳化硅工业园区将融入可持续发展的理念，确保水、电等资源的负责消耗。补充信息碳化硅 (“SiC”) 它是一种由硅和碳组成的重要复合材料(和技术)。与传统硅材料相比，碳化硅在电力应用领域具有多种优势。碳化硅的宽禁带及其导热性好、开关速度快、耗散功率低等固有特点，特别适用于制造高压功率装置，特别是1200V以上的功率装置。市场上销售的碳化硅功率器件分为碳化硅 碳化硅输出电流高于传统的硅半导体，静态泄漏电流低，能效高，特别适用于电动汽车、快速充电基础设施、可再生能源和各种工业应用（包括数据中心）。但与硅基芯片相比，碳化硅芯片的制造难度更大，成本更高，在制造工艺产业化过程中仍有许多挑战需要克服。意大利半导体在碳化硅市场的领先优势是基于该公司长期专注于技术研发和拥有的大量关键专利。卡塔尼亚长期以来一直是意大利半导体技术创新的重要场所。它是公司最大的碳化硅研发中心和制造活动，为公司开发越来越好的碳化硅产品做出了贡献。随着意大利半导体、卡塔尼亚大学、数控（意大利国家研究委员会）和大型供应商网络的长期合作，投资将加强卡塔尼亚碳化硅技术全球技术创新中心的作用，为碳化硅市场的进一步增长创造机遇。目前，意大利半导体已在意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥的两条6英寸晶圆生产线上批量生产碳化硅旗舰产品。在建的意大利半导体和重庆8英寸碳化硅合资企业三安光电将成为公司第三家专门为中国市场服务的SiC晶圆制造中心。同时，意大利半导体后端工厂位于摩洛哥布斯库拉和中国深圳，将为上述碳化硅晶圆厂提供各种包装测试，包括汽车规模和碳化硅产品的大规模生产。碳化硅衬底由位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亚的意大利半导体提供­­——由于意大利半导体正在加快衬底产能，公司大部分与碳化硅产品相关的研发设计人员都部署在这两个地方。拥有50，000名半导体技术的创造者和创新者掌握了半导体供应链和先进的制造设备。半导体垂直集成制造商作为半导体垂直集成制造商(IDM)，意大利半导体与20多万客户和成千上万的合作伙伴一起开发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意大利半导体技术使人们的出行更加智能化，使电源和能源管理更加高效，使云连接的自主化设备得到更广泛的应用。意大利半导体承诺在2027年实现碳中和(在1和2范围内实现碳中和，在3范围内实现碳中和)。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com.cn