铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破

据北京顺义官方微博报道，中关村顺义园企业北京明镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发和应用产业化方面取得了新的突破，领先于国际同类产品标准。

据悉，明镓半导体半绝缘型(010)铁掺衬底与导电膜外延，目前国际上可达25mm×尺寸为25mm，而铭镓半导体可达40mm×尺寸25mm，能稳定生产多炉，积累一定库存。导电型（001）锡衬底和导电膜外延，目前国际上可达4英寸。明镓半导体在大型衬底工艺上取得了突破，并将逐步稳定工艺供应。