据外媒报道,三星计划在今年6月举行的2024年晶圆OEM论坛上正式公布其1nm工艺计划,计划从2027年至2026年提前1nm量产时间。
据了解,三星电子已于2022年6月在全球首次成功批量生产3nm晶圆,并计划于2024年批量生产其第二代3nm技术。根据三星之前的路线图,2nm SF2 该工艺将于2025年亮相,与 3nm SF3 与工艺相比,同等条件下能效可提高25%,性能可提高12%,芯片面积可减少5%。
报道称,三星对加快1nm工艺量产的信心,或许来自于“Gate-All-Around(GAA)“电流控制技术可显著降低晶体管的漏电流,提高芯片功率效率。