据联华电子官网消息，5月30日，联电召开2024年度股东大会。
会上，在运营成果报告中提到，联电正在积极开发12nm FinFet制程技术平台 (12FFC)与14FFC相比，性能大大提高，芯片尺寸小，功耗低，能充分发挥FinFET在性能、功耗、闸密度等方面的优势，可广泛应用于各种半导体产品。预计2026年开发完成，2027年批量生产。
今年1月，联电和英特尔宣布双方将合作开发12nm 为了应对移动、通信基础设施建设和网络等市场的快速增长，FinFET工艺平台。
会议文件显示，与英特尔合作开发12nm工艺平台将是未来联电技术发展的关键，是联电追求成本效益的产能扩张和技术节点升级战略的重要组成部分。它不仅可以帮助客户顺利升级到新的关键技术节点，还可以帮助扩大北美产能带来的供应链韧性。本次合作希望利用双方的互补优势，扩大联电潜在市场，大大加快技术发展进程。