据外国媒体报道，三星电子正在积极探索“铁电基薄膜”（Hafnia Ferroelectrics）“作为下一代NAND闪存材料，我希望这种新材料能堆叠超过1000层的3D NAND，并实现pb级ssd。
若上述材料研发顺利，将能够在特定条件下显示铁电性，预计将取代目前的3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜可以提高芯片的耐久性和稳定性。据三星电子高管预测，到2030年左右，其3D NAND的叠层数将超过1000层。
Giwook，三星高管 Kim将于今年6月发表技术演讲，分析基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）V-NAND技术在1000层以上的发展中起着关键作用。这一成就被认为将促进低压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。
据报道，三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术达到430层，进一步提高NAND密度，巩固和扩大其领先优势。