近日，在浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究所和乾晶半导体联合实验室的共同努力下，研究人员在高温实验室取得重大突破，成功生长100mm厚碳化硅单晶，远远超过传统的15~30mm厚标准。
为了实现这一目标，联合实验室采用了创新的提拉物理气相传输（PPVT）方法。通过这种方法，研究小组在适当的径向温度梯度下控制晶体生长面，优化晶体的应力和表面形态。该技术不仅促进了单晶厚度的飞跃，而且保证了晶体生长率的稳定性。目前，直径6英寸（150毫米）的实验室已成功生长、高质量碳化硅单晶，厚度超过100mm，已申请两项发明专利。
未来，浙江大学科技创新中心将进一步研究和优化碳化硅单晶生长工艺，提高产品质量，促进半导体材料技术的商业化进程。
(来源:中国电子报/JSSIA整理)