高数值孔径 （ High -NA ） EUV 光刻 机 刚刚起步， ASML 又开始 致力于开发 超数孔径 Hyper-NA EUV 光刻机 。 ASML 名 首席技术官 Martin van den 在安特卫普举行的Imec技术论坛Brink（ITF）在发表演讲时，公司的未来规划被披露。 ASML表示，ASML将在未来十年内建立一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被认为是减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能耗的关键。
Van den Brink进一步强调Hyper-NA EUV工具的重要性指出，它可以简化复杂的双图案过程，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对半导体制造业至关重要。
值得注意的是，高值孔径EUV（high-NA）目前，光刻技术还处于起步阶段。ASML从去年12月开始运输高数值孔径工具，目前只有英特尔家族使用，而台积电则表示短期内不会使用。为了促进该技术的研发和应用，ASML将在几周内在费尔德霍芬正式开设高值孔径实验室，该实验室将与IMEC共同运营，为芯片制造商提供早期使用权。
事实上，实验室系统已经投入使用，并成功打印了历史上第一个10纳米线阵图案。根据Van den Brink的最新更新已经产生了接近工具最大分辨率的8nm线阵图案。这一结果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新能力。
