随着隔离技术领域的长期培育，纳芯微今天宣布推出基于电容隔离技术的新型固态继电器。产品NSI7258系列，该系列提供工作规则和车辆规则版本。NSI7258专门为NSI7258设计设计了高压测量和绝缘监测，提供行业领先的耐压能力和EMI性能，有助于改善工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。
集成SiC MOSFET，支持1700V耐压
为了适应工业和汽车平台的高压化趋势，高压系统在工业和汽车领域越来越普遍，NSI7258背靠背集成了SiC参与了两个纳芯微的研发 MOSFET，每支持高达1700V的耐压性；在NSI7258在1分钟标准雪崩试验中能够耐受2100V雪崩电压和1ma雪崩电流，在抗压和抗雪崩方面处于行业领先地位。同时，在1000V高压和125℃高温试验条件下，NSI7258泄漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池组的绝缘阻抗和检测精度有助于实现更安全的人机交互。
满足各种安全要求，减少系统验证时间
普及高压应用需要满足各种严格的安全要求。通过纳芯微自身的专利技术，NSI7258可在行业领先的5.91毫米副边爬电距离在SOW12包装下，同时原副边的爬电距离也达到了8mm，符合国际电工委员会制定的要求IEC60649要求。此外，NSI7258具有优异的纳芯微电容隔离技术，隔离耐压性高达5kVrms，完全满足UL要求，CQC和VDE相关认证可以减少客户系统验证时间，加快产品上市。
EMI显著优化，加速更换光耦继电器
传统的光耦合继电器方案存在光衰减问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦合继电器的优点是无电磁干扰，这也是限制高压系统中光耦合替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，在行业内实现了卓越的EMI性能在单板无磁珠的情况下，可以轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中有足够的量。NSI7258是基于全半导体工艺生产的，在长期使用中具有较高的可靠性。优异的EMI性能和更高的可靠性支持客户在系统中同时使用多个设备，显著降低了设计难度，帮助客户加快系统设计中的光耦合更换。
封装和选型
NSI7258提供SOW12包装，与市场主流光耦继电器兼容。NSI7258的工作规则版将在不久的将来大规模生产，NSI7258-Q1的车辆规则版将满足AEC-Q100。Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围将于2024年7月量产。