4月24日，SK海力士表示，计划投资5.3万亿韩元(约38.6亿美元)在韩国建立一个新的动态随机存储器（DRAM）工厂代号M15X的芯片生产基地。
SK海力士表示，新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM。据了解，M15X工厂计划于4月底开工建设，2025年11月前实现量产，新生产基地长期总投资预计将超过20万亿韩元。Kwakk，SK海力士总裁兼首席执行官 Noh-Jung表示，M15X将成为向世界提供人工智能关键存储设备的核心生产设施
此外，SK海力士还计划根据最初的计划，向韩国龙仁半导体产业园投资约120万亿韩元。该公司指出，这些投资规模是为了配合人工智能芯片的快速增长，特别是HBM存储系统，该公司预计对服务器高容量DDR5模块产品的需求也将稳步增长。
据媒体报道，SK海力士还计划投资约40亿美元，在印第安纳州西拉斐特建立大型芯片先进包装厂，努力扩大HBM存储容量，以满足英伟达的巨大需求。预计先进的包装厂将于2028年开始运营和初步生产。
(JSSIA整理)