· 第一个采用新技术的 STM32 微控制器将于 2024 下半年，我开始向一些客户出示样片
· 18nm FD-SOI制造工艺和嵌入式相变存储器(ePCM)结合，实现性能和功耗的双飞跃
2024年3月26日，中国-- 意法半导体公司服务于多个电子应用领域，在全球排名第一(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码：STM)发布了一个基础 18 纳米完全耗尽了绝缘体上的硅(FD-SOI) 整合嵌入式相变存储器的技术 (ePCM)先进的制造工艺，支持下一代嵌入式处理器的升级和进化。该新技术由意大利半导体和三星晶圆OEM共同开发，在嵌入式处理应用程序的性能和功耗方面取得了巨大的飞跃。同时，它可以集成更大容量的存储器和更多的模拟和数字外设。该新技术由意大利半导体和三星晶圆OEM共同开发，在嵌入式处理应用程序的性能和功耗方面取得了巨大的飞跃。同时，它可以集成更大容量的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代 STM32 微控制器的第一款产品将在于 2024年下半年开始向部分客户提供样品，2025年 年下半年排产。
Remi，半导体微控制器，数字IC和射频产品部总裁 El-“作为半导体行业的前沿创新企业，意大利半导体率先为客户带来汽车级和航天级FD-SOI和PCM技术，”Ouazane表示。我们的下一步是从下一代开始 STM32 从微控制器开始，工业应用开发者也可以享受到这两种先进技术的许多好处。”
技术优势
目前正在使用的 ST 40nm 嵌入式非易失存储器 (eNVM) 与技术相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造技术大大提高了关键的质量因素：
· 提高性能功耗比 50% 以上
· 非易失性存储器 (NVM)现有技术的密度为2.5 倍，可以在片上集成更大容量的存储器
· 数字电路密度是现有技术的三倍，可集成人工智能、图形加速器等数字外设，以及最先进的安全保护功能
· 提高噪声系数 3db，增强了无线 MCU 的射频性能
该技术的工作电源电压为3V，可供电源管理、复位系统、时钟源、数字/模拟转换器等模拟功能，为20 唯一支持纳米以下功能的半导体工艺技术。
该技术的耐高温工作、辐射硬化和数据保存期已经过汽车市场的测试，可以满足工业应用对可靠性的严格要求。
FD-半导体官网访问SOI和PCM技术细节。
能为STM32 微控制器开发者和客户的好处是什么？
这种具有成本竞争力的技术将为开发人员带来新型的高性能、低功耗、无线技术 MCU。大存储容量支持市场对边缘人工智能处理、多射频协议堆栈、无线更新和高级安全功能日益增长的需求。高处理性能和大存储容量将鼓励使用微处理器开发产品的开发者转向集成度更高、成本效益更高的微控制器。该新技术将进一步提高超低功耗设备的能效，意大利半导体产品组合目前在该市场处于主导地位。
第一个基于该技术的微控制器将集成最先进的ARM ARM® Cortex®-M核心为机器学习和数字信号处理应用带来了更强的计算性能。该产品将具有快速、灵活的外部存储接口和先进的图形功能，并将集成许多模拟和数字外设，并将具有先进的认证安全功能引入最新的半导体MCU。
