小程序
传感搜
传感圈

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电

2024-03-28
关注


 3月19日,英飞凌科技有限公司推出了全新的CoolSiC,采用TO-247PLUS-4-HCC包装™ MOSFET 2000V。本产品不仅能满足设计师对更高功率密度的需求,而且不会降低系统的可靠性,即使面临严格的高压和开关频率要求。

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可以在不增加电流的情况下提高功率。碳化硅分立器件作为市场上第一个击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC包装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。由于其低开关损耗,半导体器件适用于太阳能(如组串逆变器)、储能系统和电动汽车充电。


CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列适用于最高1500 VDC高直流电压母线系统。与1700V SiC 与MOSFET相比,这些设备可以是1500 VDC系统的过压提供了更高的容量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V,并配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术,这些设备具有一流的散热性能和高防潮性能。

您觉得本篇内容如何
评分

评论

您需要登录才可以回复|注册

提交评论

大怪科学

这家伙很懒,什么描述也没留下

关注

点击进入下一篇

2024山西国际充电桩及充换电站产品展会

提取码
复制提取码
点击跳转至百度网盘