芯东西(微信官方账号:aichip001)
编译 | ZeR0
编辑 | 漠影
3月13日，据外国媒体援引知情人士的话说，为了赶上高端人工智能芯片竞争，三星存储芯片紧急刹车，准备使用SK海力士领导的高端芯片包装技术。
生成AI对高带宽内存进行高带宽内存（HBM）对芯片的需求激增，但当SK海力士和美光科技被曝获英伟达高额订单时，三星意外缺席交易。
分析人士和业内观察家认为，三星电子落后的原因之一是，它决定使用非导电薄膜，这将导致一些生产问题（NCF）SK海力士将芯片技术转向高端封装技术MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）解决NCF缺陷的方法。
然而，据三位直接知情人士透露，三星最近订购了用于MUF技术的芯片制造设备。
一位消息人士说：“三星必须采取措施提高HBM（生产）的产量。。。对于三星来说，使用MUF技术有点羞辱，因为它最终使用了SK海力士最初使用的技术。”。
几位分析师表示，三星HBM3芯片产量约为10-20%，而SK海力士HBM3产量约为60-70%。
HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求旺盛，可以帮助处理大量生成人工智能数据。
三星还在与日本Nagase和其他材料制造商进行谈判。一位消息人士说，使用MUF大规模生产高端芯片直到明年才准备好，因为三星需要进行更多的测试。
三位消息人士还透露，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。
三星表示，内部NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于新的HBM3E芯片。该公司在一份声明中写道：“我们正在按计划开展HBM3E产品业务。”
三星使用MUF的计划凸显了它在人工智能芯片竞争中面临的压力越来越大。根据研究公司TrendForce的数据，HBM芯片市场今年将增长1倍以上，达到近90亿美元。
非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛应用于在紧凑的高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片，因为热压缩薄膜的使用有助于减少堆叠芯片之间的空间。但随着层数的增加，制造变得复杂，粘合材料经常出现问题。三星表示，其最新的HBM3E芯片有12层芯片。芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。
SK海力士率先成功转向MR-MUF技术，成为第一家为英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师Jefff Kim估计，SK海力士在今年为英伟达提供的HBM3和更先进的HBM产品中的市场份额将超过80%。
美光上个月加入HBM竞争，宣布英伟达将采用其最新的HBM3E芯片，为英伟达H200芯片提供动力，该芯片将于第二季度发货。
据多位消息人士透露，三星HBM3系列尚未通过英伟达的供货资格。
投资者已经注意到三星在人工智能芯片竞争中的挫折，其股价今年下跌了7%，而SK海力士和美光的股价分别上涨了17%和14%。