据武汉经信官方微信报道，世界上第一个8英寸硅膜铌酸锂光电集成晶圆最近在九峰山实验室离线。这是世界上最先进的硅基化合物光电集成技术。
据报道，该结果可以实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，是世界上综合性能最好的光电集成芯片。该结果由九峰山实验室和重要的工业合作伙伴共同开发，将尽快实现工业商业化。
据了解，九峰山实验室工艺中心开发了与8英寸薄膜铌酸锂晶圆相匹配的深紫外线(DUV) 光刻、微纳干蚀刻和薄膜金属工艺成功开发了第一个8英寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现了低损耗铌酸锂导体、高带宽电光调制器芯片和高带宽发射器芯片的集成。该结果为薄膜铌酸锂光电芯片的开发和超大规模光子集成提供了一条有前途的工业技术路线，为高性能光通信应用场景提供了工艺解决方案。