固态硬盘的缓存主要分为DRAM Buffer 、SLC Cache、Host Memory Buffer。这三种缓存，有何区别？本文将带你深入了解三种缓存对工业级固态硬盘的重要性。
DRAM Buffer
DRAM缓存是一种基于动态随机存取存储器（DRAM）的缓存技术。它使用固态硬盘外置的DRAM作为缓存区域。
优点
显著提高固态硬盘的随机读写速度和响应性能，提升SSD写入稳定性。
不带DRAM全盘写入曲线图
带DRAM全盘写入曲线图
带DRAM缓存可以让SSD在TLC Mode写入数据时平稳。
什么是顺序读写、随机读写、IOPS 、4K读写？
SLC Cache
SLC缓存是一种基于单层单元存储器（SLC）的缓存技术。在TLC或QLC的闪存芯片(NAND Flash IC)中，划分一部分固态硬盘的存储空间来模拟SLC的写入方式。
优点
短期内提升SSD的爆发写入能力。
SSD写入数据经历高速SLC写入、后SLC写入、TLC写入3个阶段。其中，前2个阶段是通过固件的FW来实现的；TLC阶段写入速度取决于使用FLash IC的好坏。
Host Memory Buffer
HMB技术是一种基于主机内存的缓存技术。它利用主机内存的一部分作为固态硬盘的缓存区域，通常最大为64MB。
优点
相比于DRAM Buffer，成本较低，但同时也可以提供相对较大的缓存容量。
总结
固件技术对工业级固态硬盘性能和使用寿命的起到重要影响，威刚工控可提供DRAM Buffer与SLC Cache软硬整合的缓存解决方案，提升产品的稳定性和耐用度。
一般一些入门级产品或者低速产品会设计成没有缓存，威刚针对数据交换量大的应用场景提供DRAM Buffer，SLC Cache，Host Memory Buffer等多种缓存技术和掉电保护DVT电路设计以提高产品的读写效率和稳定性。
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