意瑞的高性能霍尔锁存芯片CH442PN广泛应用于电动工具，工业风机，流量计等场合。在缺芯潮下，针对AKM EW632的一些需求，CH442PN也为广大客户提供了更多选择。
以下是两者的对比分析。
1. 相较于EW632，CH442PN可以支持更宽的电压范围，满足更多的应用需求（另CH442开机后最低供电可以支持到2V以下）。
2. 供电电流最大值仅为3mA, 相较于EW632 8mA的性能一方面降低了芯片功耗，另一方面缓解了芯片的温升。再配合上芯片-40°C~150°C的工作环境温度范围，大大提升了CH442PN的可靠性（尤其是在电机这种高温封闭环境中）。
3. 芯片采用BCD技术以及出厂前的校准使得芯片的磁场门限相对EW632也有了明显的优化。
4. 为了进一步保证芯片的可靠性，芯片出厂前还增加了ESD、延时等测试项目，当然就会对芯片设计端提出了更高的要求，尤其是CH442 ESD等参数的设计是完全按照汽车级标准完成的。
5. 除此以外同类型的CHA442PN为汽车级芯片（AEC-Q100认证，出厂前会经过所有汽车级测试，CH442PN是完全按照汽车级设计的芯片，性能也全面领先EW632。
表1
Comparison Table | CH442PN | EW-632 |
Vcc voltage range | 2.5V~22V | 2.2V~18V |
Icc(max) | 3mA | 8mA |
Ta | -40°C to 150°C | -30°C to 115°C |
Bop | 10Gs(min) 30Gs(typ) 50Gs(max) | NA(min) 30Gs(typ) 60Gs(max) |
Brp | –50Gs(min) -30Gs(typ) -10Gs(max) | –60Gs(min) -30Gs(typ) NA(max) |
ESD | ±8kv(HBM) | NA |
Td output delay | Typical 13us | NA |
Tr | Typical 0.2us Max 2us | NA |
Tf | Typical 0.1us Max 1us | NA |
fBW bandwidth | Typical 20khz | NA |
Q grade design consideration | Yes | No |
图1是CH442PN磁参数在不同温度下的性能。可以看到在全温度范围（-40°C to 150°C）内，各项磁参数的一致性都很不错。
图1：CH442PN磁参数(BOP/BRP)在全温范围内的测试
图2是分别对CH442PN和EW632不同电压下的Bop，Brp门限对比测试的情况，可以看出CH442PN的磁场精度稳定性明显优于EW632。
图2：CH442PN和EW632磁参数在不同电压下的测试
