集微网消息，天眼查显示，锐芯微电子股份有限公司“CMOS-TDI图像传感器及其形成方法”专利获授权，授权公告日为5月19日，授权公告号为CN109216393B。
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专利摘要显示，一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底内具有第一沟道，所述第一沟道内掺杂有第一离子；位于所述第一沟道顶部的若干个相互分立的掺杂区，所述掺杂区内掺杂有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个掺杂区。
据悉，所述CMOS-TDI图像传感器的暗电流较小。（校对/韩秀荣）