3月15日消息,在最近的IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星首次展示了采用3nm工艺制造的256Mb(32MB)容量SRAM存储芯片。该芯片应用了MBCFET技术,写入电压仅需0.23V,是三星实现新工艺量产的一次重大进步。
据悉,三星的3nm工艺采用了GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,与上一代7LPP FinFET工艺相比,晶体管密度可以提高80%,性能最高可提升30%,或者降低50%的功耗。
三星与台积电并列为全球两大芯片代工厂,但是却总是稍逊台积电一筹。2015年苹果iPhone 6S系列大卖,为了提高新品产能,同时使用了三星14nm和台积电16nm工艺代工,然而台积电出产的芯片性能稳定,三星的芯片却两极分化严重,部分芯片性能、发热均表现出色,另一些芯片则出现了发热翻车的现象。
后来苹果芯片的代工订单基本都交给了台积电,三星则与高通签订了多年合作协议。3nm是芯片工艺的全新节点,比5nm、4nm更为重要,三星早前已经开始布局,抢在台积电之前,展出了成品。
根据产业链曝光的消息,台积电也在研发3nm工艺,遗憾的是新工艺仍将采用FinFET立体晶体管技术,号称与5nm工艺相比,晶体管密度将提高70%,性能可提升11%,或者功耗降低27%。
从纸面参数来看,三星这一次似乎有望实现全面反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况,台积电则基本确认,客户会包括苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等,貌似Intel也有意寻求台积电的先进工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用GAAFET技术,要等待三年左右才能面世。
这两家厂商的3nm工艺都将在今年年底试产,明年正式量产。三星能否弯道超车,只有等待产品量产之后,经过消费者检验,我们才能知道。