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传感器热点(3.15):Terranet联合奔驰推出超快速ADAS传感器

2021-03-15
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摘要 VoxelFlow采用高速传感器技术,能够扫描车辆周围半径为40米的区域并在短至3毫秒内做出反应。使自动驾驶(AD)和ADAS能够快速、准确地理解和解读前方的情况,增强了现有的雷达、激光雷达和摄像头系统。

传感新品

  【Terranet联合奔驰推出超快速ADAS传感器】

  近日,针对安全问题的驾驶辅助软件开发商Terranet AB在STARTUP AUTOBAHN展会上与梅赛德斯-奔驰联合展示了其专利的3D VoxelFlow传感器技术。

  VoxelFlow采用高速传感器技术,能够扫描车辆周围半径为40米的区域并在短至3毫秒内做出反应。使自动驾驶(AD)和ADAS能够快速、准确地理解和解读前方的情况,增强了现有的雷达、激光雷达和摄像头系统。

  通过奔驰和Terranet的联合项目,VoxelFlow传感器数据被输入到奔驰导航系统“LiveMap”的安全地图中,该地图会实时更新。两种技术结合在一起可以动态感知移动的物体,并随后识别事件和危险点。

  Terranet与戴姆勒(Daimler)之间的合作旨在极大地改善整体导航体验,并使道路更安全。

  【三菱电机推出80x60像素热敏二极管红外传感器】

  近日,三菱电机宣布其红外(MelDIR)传感器产品线将于7月1日推出具有宽视场(FoV)和高视野的新型热传感器。

  该新型MelDIR传感器有着80x60像素分辨率,适用于安全,供暖,通风和空调(HVAC),人数统计,智能建筑和热扫描仪等应用。此外,还可以准确地区分人类和其他热源,并能够识别人类的特定行为,例如步行,跑步或举手。

  与传统的80x32像素MelDIR相比,新型MelDIR传感器检测面积大2-4倍,并且100mK或0.1ºC的热分辨率相似。帧速率也提高了一倍,并针对周围区域优化了灵敏度校正,可提供出色的热图像。

  【研究人员开发出一体式皮肤贴片传感器】

  最近,加利福尼亚大学的工程师宣布开发出一种传感器皮肤贴片,该贴片具有灵活性并能够读取多种刺激行为的数据。比如,戴在脖子上的新传感器可以同时监测血压和心率,同时还可以记录皮肤汗液中的乳酸,酒精和咖啡因。

  新型传感器的拉伸能力使其可以随皮肤移动和变形,这对于其可靠性至关重要。此外,与皮肤一起移动的弹性传感器比传统传感器舒适得多。因此,它的应用范围扩展到了外部医院,以及慢性病患者的家中。

  该传感器使用简单的丝网印刷方法在弹性聚合物上创建电极。葡萄糖传感器通过在两个电极之间施加电流来工作,并且该电流使人体释放组织液(即细胞之间的液)。生成的液体包含与血液中的含量成比例的葡萄糖,因此传感器可以确定人体中的葡萄糖量。

传感动态

  【索尼收购英特尔专利,以用于图像传感器的设计中】

  2020年底,有报道称索尼获得了多项英特尔专利。一家知识产权分析博客LexisNexis公布了其对这些专利的分析。

  "相应的重新分配文件列出了35个拥有活跃的美国专利的简单专利族。从附图中可以看到,该产品组合包含各种技术,例如封装,半导体工艺,系统,计算机内存和图像投影。令人惊讶的是,有几张首页图纸指向了全能栅极晶体管(GAA)技术,这是预期的下一个晶体管技术。

  这一发现是始料未及的。索尼在先进的CMOS晶体管技术方面并不活跃,比如GAA,或者说至少鲜为人知。

  有10个专利系列即将用于全能晶体管,而3个专利系列则涉及finFET晶体管。从表面上看,所描述的结构和方法甚至与文献中公布的栅极全绕结构相似。

  索尼凭借少量但强大的GAA产品组合排名第六。投资组合规模(简单专利家族的数量)和投资组合强度(专利资产指数)之间的差异非常明显:投资组合强度是投资组合规模的10倍以上。由于专利资产指数是竞争影响力与投资组合规模的乘积,因此该比率表明了通过PatentSight竞争影响力衡量的索尼全能专利的高平均质量。”

  BusinessKorea认为,英特尔GAA专利将用于未来索尼图像传感器的设计中。

  【华为公开“屏下指纹”相关专利,可延长指纹提示区域显示器件使用寿命】

  3月13日,华为技术有限公司公开了“屏下指纹”技术的相关专利。

  在专利简要中,华为介绍新专利为“一种指纹提示图案的显示方法、屏下指纹的解锁方法和装置”。专利申请日为2019年9月11日,公开号为CN112487845A。专利摘要显示,本申请提供的指纹提示图案的显示方法有利于提高指纹提示区域显示器件的使用寿命。

  【三星演示3nm MBCFET芯片:采用纳米片结构制造晶体管】

  3月13日,三星电子和台积电目前都计划开展3nm制程工艺研发。据外媒TomsHardware消息,三星在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。

  GAAFET晶体管(闸极全环场效晶体管)从构造上有两种形态,是目前FinFET的升级版。三星表示传统的GAAFET工艺采用三层纳米线来构造晶体管,栅极比较薄;而三星MBCFET工艺使用纳米片构造晶体管,三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示,这两种方式都可以实现3nm,但取决于具体设计。

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