第三代半导体材料氮化镓 (GaN)、碳化矽 (SiC)，因拥有小尺寸、耐高温、耐高压等特性，将带动电源、工业、电动车等应用迈向下一个新时代，被动元件业者普遍看好，中高压、高容值被动元件需求可望跟进成长趋势，需求同步放大。
氮化镓应用包括 5G 基地台与手机、电源、电动车等三大领域，碳化矽相较氮化镓，更耐高温、耐高压，较适合应用於严苛的环境，应用包括不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。
被动元件业者分析，第三代半导体材料发展势必同步带动大功率被动元件需求，以氮化镓为例，由於氮化镓 Mosfet 具有小巧、高效、发热低等特点，电源内部设计空间因此增加，原本尺寸小的电解电容及 Disc 安规电容，皆将转换为大尺寸 MLCC.
研调机构分析资料显示，氮化镓市场规模从今年到 2022 年，年复合成长率 (CAGR) 高达 60%；碳化矽到 2022 年的年复合成长率也高达 40%，也可望带动大尺寸、高功率的被动元件需求随之增加。
此外，目前不论苹果或是中系手机业者，都朝快充领域发展，业者认为，预计到 2022 年，快充可望普及化，对中压高容的 MLCC 需求大幅提升；另外，电动车充电则是特高压应用，两者都是未来趋势。